英飞凌代理商
渠道，英飞凌芯片一站式采购平台
英飞凌(INFINEON)芯片的即时报价、快速出货、无起订量
首页
INFINEON英飞凌
产品中心
产品应用
相关型号
新闻与资源
联系我们
|
BSC030P03NS3 G
|
BSC030P03NS3 G价格
|
BSC030P03NS3 G技术资料
|
BSC030P03NS3 G
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
原厂封装：
PG-TDSON-8
优势价格，BSC030P03NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSC030P03NS3 G的技术资料下载
BSC030P03NS3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：BSC030P03NS3 G
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：25.4A（Ta），100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 345μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：186nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：14000pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
想获取BSC030P03NS3 G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
了解更多英飞凌(INFINEON)芯片的报价及技术资料
BSC030N03MSGATMA1
晶
BSC0302LSATMA1
晶
BGM14HBA12E6327XTSA1
射频收发器和调制解调器
IRL1104S
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
F3L150R07W2E3B11BOMA1
晶体管 - IGBT - 模块
BFR 949L3 E6327
晶体管 - 双极（BJT）- 射频
英飞凌芯片代理
的长期订单优势货源：随时现货+极具竞争力的价格
英飞凌公司（INFINEON）授权的国内
英飞凌代理商
一手货源，大小批量出货
www.inflyic.com
