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BTS113A
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BTS113A技术资料
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BTS113A
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
原厂封装:
P-TO220AB
优势价格,BTS113A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BTS113A的技术资料下载
BTS113A的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:BTS113A
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 60V 11.5A TO-220AB
系列:TEMPFET
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):11.5A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):170 毫欧 @ 5.8A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):560pF @ 25V
功率 - 最大值:40W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:P-TO220AB
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