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BUZ31

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单端场效应管
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
原厂封装:PG-TO220-3
优势价格,BUZ31的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BUZ31的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:BUZ31
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220AB
  • 系列:SIPMOS
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):200V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):14.5A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):200 毫欧 @ 9A,5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1120pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:95W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:PG-TO220-3
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  • BUZ31 E3045A
  • BUZ31 H3045A
  • 电信接口芯片
    PSB2163T-V31TR
  • 单端场效应管
    SPA15N65C3
  • FET - 单
    BSS126H6327XTSA2
  • 配电开关,负载驱动器芯片
    ISP752T
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