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IPB019N08N3 G

Infineon图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
原厂封装:PG-TO263-7
优势价格,IPB019N08N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPB019N08N3 G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:IPB019N08N3 G
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):80V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):180A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 100A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 270μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):206nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14200pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:300W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片),TO-263CB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-7
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