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IPB08CNE8N G的图片

IPB08CNE8N G

Infineon图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
原厂封装:PG-TO263-2
优势价格,IPB08CNE8N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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IPB08CNE8N G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:IPB08CNE8N G
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 85V 95A TO263-3
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):85V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):95A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8.2 毫欧 @ 95A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 130μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):99nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6690pF @ 40V
  • 功率 - 最大值:167W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:PG-TO263-2
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    SPD50N06S2L-13
  • 微控制器
    SAF-XC822MT-1FRI AA
  • RF二极管
    BAR 64-06W H6327
  • 单路﹐预偏压式晶体管
    BCR 139L3 E6327
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