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AIHD10N60RFATMA1
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AIHD10N60RFATMA1价格
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AIHD10N60RFATMA1技术资料
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AIHD10N60RFATMA1
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
IC DISCRETE 600V TO252-3
原厂封装：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
优势价格，AIHD10N60RFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
AIHD10N60RFATMA1的技术资料下载
AIHD10N60RFATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：AIHD10N60RFATMA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：IC DISCRETE 600V TO252-3
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：-
零件状态：有源
IGBT类型：沟槽型场截止
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：20A
电流-集电极脉冲(Icm)：30A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，10A
功率-最大值：150W
开关能量：190μJ（开），160μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：64nC
25°C时Td（开/关）值：12ns/168ns
测试条件：400V，10A，26 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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