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AIHD15N60RFATMA1

英飞凌(INFINEON)图标
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：IC DISCRETE 600V TO252-3
原厂封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
优势价格，AIHD15N60RFATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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AIHD15N60RFATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：AIHD15N60RFATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：IC DISCRETE 600V TO252-3
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：-
  • 零件状态：最後
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：600V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：45A
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.5V @ 15V，15A
  • 功率-最大值：240W
  • 开关能量：270J（开），250J（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：90nC
  • 25°C时Td（开/关）值：13ns/160ns
  • 测试条件：400V，15A，15 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：-
  • 工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
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