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INFINEON
BG 3130R H6327的图片

BG 3130R H6327

英飞凌(INFINEON)图标
RF场效应管
制造厂商:英飞凌(INFINEON)
功能简述:MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
原厂封装:PG-SOT363-6
优势价格,BG 3130R H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BG 3130R H6327的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号:BG 3130R H6327
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 N-通道(双)
  • 频率:800MHz
  • 增益:24dB
  • 电压 - 测试:5V
  • 额定电流:25mA
  • 噪声系数:1.3dB
  • 电流 - 测试:14mA
  • 功率 - 输出:-
  • 电压 - 额定:8V
  • 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:PG-SOT363-6
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    BG 3130R E6327
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    BG 3130 H6327
  • 电源管理IC - 电机驱动器,控制器
    IMM100A015MXUMA1
  • 晶闸管 - SCR - 模块
    T901N36TOFXPSA1
  • 隔离器 - 栅极驱动器
    1ED3131MU12HXUMA1
  • 晶闸管 - SCR - 模块
    TD250N12KOFHPSA1
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