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BG 5412K H6327
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BG 5412K H6327价格
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BG 5412K H6327技术资料
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BG 5412K H6327
RF场效应管
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
原厂封装：
PG-SOT363-6
优势价格，BG 5412K H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BG 5412K H6327的技术资料下载
BG 5412K H6327的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：BG 5412K H6327
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
系列：-
晶体管类型：2 N-通道（双）
频率：800MHz
增益：24dB
电压 - 测试：5V
额定电流：25mA
噪声系数：1.1dB
电流 - 测试：10mA
功率 - 输出：-
电压 - 额定：8V
封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：PG-SOT363-6
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BG 5412K E6327
R
AUIRF3205Z
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
BSS123NH6327XTSA1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
IPA60R190C6XKSA1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
XMC4108F64K64BAXQMA1
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