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BSB280N15NZ3 G
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BSB280N15NZ3 G技术资料
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BSB280N15NZ3 G
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
原厂封装：
MG-WDSON-2
优势价格，BSB280N15NZ3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSB280N15NZ3 G的技术资料下载
BSB280N15NZ3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：BSB280N15NZ3 G
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 150V 9A WDSON-2
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：150V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：9A（Ta），30A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 60μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1600pF @ 75V
功率 - 最大值：57W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：3-WDSON
供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK M
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