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BSC014NE2LSI技术资料
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BSC014NE2LSI
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
原厂封装：
PG-TDSON-8
优势价格，BSC014NE2LSI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSC014NE2LSI的技术资料下载
BSC014NE2LSI的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：BSC014NE2LSI
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 25V 33A TDSON-8
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：25V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：33A（Ta），100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：1.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：39nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2700pF @ 12V
功率 - 最大值：74W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8
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