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BSC019N02KSGAUMA1
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BSC019N02KSGAUMA1技术资料
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BSC019N02KSGAUMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
原厂封装:
PG-TDSON-8-1
优势价格,BSC019N02KSGAUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSC019N02KSGAUMA1的技术资料下载
BSC019N02KSGAUMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:BSC019N02KSGAUMA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:OptiMOS
零件状态:不用於新
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):30A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):2.5V,4.5V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):1.95 毫欧 @ 50A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.2V @ 350A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):85nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±12V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):13000pF @ 10V
FET功能:-
功率耗散(最大值):2.8W(Ta),104W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:PG-TDSON-8-1
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