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BSC046N02KS G的图片

BSC046N02KS G

单端场效应管

制造厂商：英飞凌(INFINEON)

功能简述：MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8

原厂封装：PG-TDSON-8

优势价格，BSC046N02KS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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BSC046N02KS G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供

Infineon英飞凌公司完整型号：BSC046N02KS G

制造商：Infineon Technologies（英飞凌）

描述：MOSFET N-CH 20V 80A TDSON-8

系列：OptiMOS?

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Ta），80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.6 毫欧 @ 50A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 110μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27.6nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4100pF @ 10V

功率 - 最大值：48W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）

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