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BSC060P03NS3E G
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BSC060P03NS3E G价格
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BSC060P03NS3E G技术资料
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BSC060P03NS3E G
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
原厂封装：
PG-TDSON-8
优势价格，BSC060P03NS3E G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSC060P03NS3E G的技术资料下载
BSC060P03NS3E G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：BSC060P03NS3E G
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET P-CH 30V 17.7A TDSON-8
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：17.7A（Ta），100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 150μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：81nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6020pF @ 15V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerTDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8
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