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BSC0911NDATMA1
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BSC0911NDATMA1技术资料
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BSC0911NDATMA1
FET - 阵列
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8
原厂封装:
8-PowerTDFN
优势价格,BSC0911NDATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSC0911NDATMA1的技术资料下载
BSC0911NDATMA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号: BSC0911NDATMA1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
功能总体简述: MOSFET 2N-CH 25V 18A/30A TISON-8
系列: OptiMOS?
FET 类型: 2 N 沟道(双)非对称型
FET 功能: 逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 18A,30A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 3.2 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 12nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 1600pF @ 12V
功率 - 最大值: 1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PG-TISON-8
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