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BSC0921NDIATMA1
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BSC0921NDIATMA1技术资料
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BSC0921NDIATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
原厂封装:
8-PowerTDFN
优势价格,BSC0921NDIATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSC0921NDIATMA1的技术资料下载
BSC0921NDIATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:BSC0921NDIATMA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:OptiMOS?
零件状态:有源
FET类型:2 N 沟道(双)非对称型
FET功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):17A,31A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):5 毫欧 @ 20A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):8.9nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1025pF @ 15V
功率-最大值:1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-PowerTDFN
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