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BSC112N06LDATMA1
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BSC112N06LDATMA1价格
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BSC112N06LDATMA1技术资料
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BSC112N06LDATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
TRENCH 40<-<100V
原厂封装:
8-PowerVDFN
优势价格,BSC112N06LDATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSC112N06LDATMA1的技术资料下载
BSC112N06LDATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:BSC112N06LDATMA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:TRENCH 40<-<100V
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:OptiMOS-T2
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):20A(Tc)
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):11.2 毫欧 @ 17A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.2V @ 28A
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):55nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):4020pF @ 30V
功率-最大值:65W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-PowerVDFN
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