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BSC196N10NS G的图片

BSC196N10NS G

Infineon图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
原厂封装:PG-TDSON-8
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BSC196N10NS G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:BSC196N10NS G
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8.5A(Ta),45A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):19.6 毫欧 @ 45A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 42μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):34nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2300pF @ 50V
  • 功率 - 最大值:78W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:PG-TDSON-8
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