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BSC265N10LSF G
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BSC265N10LSF G价格
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BSC265N10LSF G技术资料
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BSC265N10LSF G
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
原厂封装:
PG-TDSON-8
优势价格,BSC265N10LSF G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSC265N10LSF G的技术资料下载
BSC265N10LSF G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:BSC265N10LSF G
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):6.5A(Ta),40A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):26.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 43μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1600pF @ 50V
功率 - 最大值:78W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商器件封装:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
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