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BSC750N10ND G
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BSC750N10ND G价格
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BSC750N10ND G技术资料
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BSC750N10ND G
场效应管阵列
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
原厂封装：
PG-TDSON-8
优势价格，BSC750N10ND G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSC750N10ND G的技术资料下载
BSC750N10ND G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：BSC750N10ND G
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
系列：OptiMOS?
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：75 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 12μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：720pF @ 50V
功率 - 最大值：26W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-PowerVDFN
供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
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