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BSD223P H6327的图片

BSD223P H6327

Infineon图标
场效应管阵列
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
原厂封装:PG-SOT363-6
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BSD223P H6327的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:BSD223P H6327
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:2 个 P 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):390mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.5μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.62nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):56pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:250mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:PG-SOT363-6
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  • 霍尔效应磁性传感器IC
    TLE4953C
  • 微控制器
    SAF-XE167GM-72F80L AA
  • 单端场效应管
    BSS670S2L H6327
  • 单端场效应管
    BSZ0902NS
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