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INFINEON
BSD235N H6327的图片

BSD235N H6327

英飞凌(INFINEON)图标
场效应管阵列
制造厂商:英飞凌(INFINEON)
功能简述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
原厂封装:PG-SOT363-6
优势价格,BSD235N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BSD235N H6327的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSD235N H6327
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):950mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):350 毫欧 @ 950mA,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.6μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.32nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):63pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:PG-SOT363-6
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