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BSD235N L6327

Infineon图标
场效应管阵列
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
原厂封装:PG-SOT363-6
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BSD235N L6327的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:BSD235N L6327
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
  • 系列:OptiMOS?
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):950mA
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):350 毫欧 @ 950mA,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1.6μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.32nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):63pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:500mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:PG-SOT363-6
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  • 单端场效应管
    IPW60R299CP
  • 二极管TVS
    ESD203B102ELE6327XTMA1
  • 电信接口芯片
    PEF 4268 T V1.2
  • 单路IGBT
    SGP20N60
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