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BSD316SN H6327
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363
原厂封装：
PG-SOT363-6
优势价格，BSD316SN H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSD316SN H6327的技术资料下载
BSD316SN H6327的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：BSD316SN H6327
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT363
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.4A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 3.7μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.6nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：94pF @ 15V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：PG-SOT363-6
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