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BSD840N H6327
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BSD840N H6327
场效应管阵列
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
原厂封装：
PG-SOT363-6
优势价格，BSD840N H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSD840N H6327的技术资料下载
BSD840N H6327的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：BSD840N H6327
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
系列：OptiMOS?
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：880mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 880mA，2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 1.6μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.26nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：78pF @ 10V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：6-VSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：PG-SOT363-6
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