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BSF077N06NT3 G
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BSF077N06NT3 G价格
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BSF077N06NT3 G技术资料
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BSF077N06NT3 G
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
原厂封装:
MG-WDSON-2
优势价格,BSF077N06NT3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSF077N06NT3 G的技术资料下载
BSF077N06NT3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:BSF077N06NT3 G
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N-CH 60V 13A WDSON-2
系列:OptiMOS
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):13A(Ta),56A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):7.7 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 33A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):46nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3700pF @ 30V
功率 - 最大值:38W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-WDSON
供应商器件封装:MG-WDSON-2,CanPAK M
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