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    BSG0810NDIATMA1的图片

    BSG0810NDIATMA1

    英飞凌(INFINEON)图标
    晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
    原厂封装：8-PowerTDFN
    优势价格，BSG0810NDIATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    BSG0810NDIATMA1的技术资料下载
    电话询问价格
    BSG0810NDIATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：BSG0810NDIATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：OptiMOS?
  • 零件状态：有源
  • FET类型：2 N 沟道（双）非对称型
  • FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动
  • 漏源电压（Vdss）：25V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A，39A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.4nC @ 4.5V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1040pF @ 12V
  • 功率-最大值：2.5W
  • 工作温度：-55°C ~ 155°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-PowerTDFN
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