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BSM75GB170DN2HOSA1
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BSM75GB170DN2HOSA1技术资料
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BSM75GB170DN2HOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
IGBT MOD 1700V 110A 625W
原厂封装：
模块
优势价格，BSM75GB170DN2HOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSM75GB170DN2HOSA1的技术资料下载
BSM75GB170DN2HOSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：BSM75GB170DN2HOSA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：IGBT MOD 1700V 110A 625W
系列：晶体管 - IGBT - 模块
零件状态：停产
IGBT类型：-
配置：半桥
电压-集射极击穿（最大值）：1700V
电流-集电极(Ic)（最大值）：110A
功率-最大值：625W
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：3.9V @ 15V，75A
电流-集电极截止（最大值）：-
不同?Vce时输入电容(Cies)：11nF @ 25V
输入：标准
NTC热敏电阻：无
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装：模块
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