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INFINEON
BSO080P03NS3E G的图片

BSO080P03NS3E G

英飞凌(INFINEON)图标
单端场效应管
制造厂商:英飞凌(INFINEON)
功能简述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
原厂封装:PG-DSO-8
优势价格,BSO080P03NS3E G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
电话询问价格
BSO080P03NS3E G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号:BSO080P03NS3E G
  • 制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
  • 描述:MOSFET P-CH 30V 12A 8DSO
  • 系列:OptiMOS
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):8 毫欧 @ 14.8A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.9V @ 150A
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):81nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6750pF @ 15V
  • 功率 - 最大值:1.6W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:PG-DSO-8
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