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BSO150N03MD G
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BSO150N03MD G价格
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BSO150N03MD G技术资料
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BSO150N03MD G
场效应管阵列
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
原厂封装：
PG-DSO-8
优势价格，BSO150N03MD G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSO150N03MD G的技术资料下载
BSO150N03MD G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：BSO150N03MD G
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO
系列：OptiMOS?
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 9.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 15V
功率 - 最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8
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BSO150N03
场
PSB 3186 H V1.4
电信接口芯片
IPP70N04S3-07
单端场效应管
IPP65R600C6
单端场效应管
SAK-C164CI-8EM CB
微控制器
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