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BSO203PNTMA1
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BSO203PNTMA1技术资料
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BSO203PNTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,BSO203PNTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSO203PNTMA1的技术资料下载
BSO203PNTMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:BSO203PNTMA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET 2P-CH 20V 8.2A 8SOIC
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:OptiMOS?
零件状态:停产
FET类型:2 个 P 沟道(双)
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C时电流-连续漏极(Id):8.2A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):21 毫欧 @ 8.2A,4.5V
不同Id时Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):48.6nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2242pF @ 15V
功率-最大值:2W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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