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BSO203SP H
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BSO203SP H技术资料
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BSO203SP H
单端场效应管
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8
原厂封装:
P-DSO-8
优势价格,BSO203SP H的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSO203SP H的技术资料下载
BSO203SP H的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:BSO203SP H
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET P-CH 20V 7A DSO-8
系列:OptiMOS?
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):21 毫欧 @ 8.9A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):39nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3750pF @ 15V
功率 - 最大值:1.6W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:P-DSO-8
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