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BSO303SP
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
原厂封装：
8-SO
优势价格，BSO303SP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSO303SP的技术资料下载
BSO303SP的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：BSO303SP
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.9A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：21 毫欧 @ 8.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：69nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1754pF @ 25V
功率 - 最大值：2.35W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
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