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BSO330N02K G
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BSO330N02K G技术资料
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BSO330N02K G
场效应管阵列
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
原厂封装：
PG-DSO-8
优势价格，BSO330N02K G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSO330N02K G的技术资料下载
BSO330N02K G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：BSO330N02K G
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
系列：OptiMOS?
FET 类型：2 个 N 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5.4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 20μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：730pF @ 10V
功率 - 最大值：1.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8
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