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BSO612CV G
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BSO612CV G技术资料
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BSO612CV G
场效应管阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
原厂封装:
PG-DSO-8
优势价格,BSO612CV G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSO612CV G的技术资料下载
BSO612CV G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号:BSO612CV G
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
系列:SIPMOS
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3A,2A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):120 毫欧 @ 3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 20A
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):340pF @ 25V
功率 - 最大值:2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:PG-DSO-8
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