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BSO612CVGHUMA1
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BSO612CVGHUMA1技术资料
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BSO612CVGHUMA1
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
原厂封装：
8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
优势价格，BSO612CVGHUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSO612CVGHUMA1的技术资料下载
BSO612CVGHUMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：BSO612CVGHUMA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：SIPMOS?
零件状态：停产
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：标准
漏源电压（Vdss）：60V
25°C时电流-连续漏极(Id)：3A，2A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：120 毫欧 @ 3A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 20μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：15.5nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 25V
功率-最大值：2W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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