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BSO615C G
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BSO615C G技术资料
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BSO615C G
场效应管阵列
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
原厂封装：
PG-DSO-8
优势价格，BSO615C G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSO615C G的技术资料下载
BSO615C G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：BSO615C G
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
系列：SIPMOS
FET 类型：N 和 P 沟道
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：60V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.1A，2A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：22.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：380pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：PG-DSO-8
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