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BSO615CGHUMA1的图片

BSO615CGHUMA1

英飞凌(INFINEON)图标
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
原厂封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
优势价格，BSO615CGHUMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BSO615CGHUMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：BSO615CGHUMA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
  • 产品系列：SIPMOS
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 和 P 沟道
  • FET功能：逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）：60V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.1A，2A
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：110 毫欧 @ 3.1A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 20A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：380pF @ 25V
  • 功率-最大值：2W
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
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