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BSO615CT
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BSO615CT技术资料
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BSO615CT
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
原厂封装:
8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
优势价格,BSO615CT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSO615CT的技术资料下载
BSO615CT的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:BSO615CT
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:SIPMOS?
零件状态:停产
FET类型:N 和 P 沟道
FET功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):3.1A,2A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):110 毫欧 @ 3.1A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):22.5nC @ 10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):380pF @ 25V
功率-最大值:2W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
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