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BSO615N G的图片

BSO615N G

Infineon图标
场效应管阵列
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
原厂封装:PG-DSO-8
优势价格,BSO615N G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BSO615N G的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号:BSO615N G
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
  • 系列:SIPMOS
  • FET 类型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.6A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):150 毫欧 @ 2.6A,4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 20μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):380pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:PG-DSO-8
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