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BSP300H6327XUSA1

Infineon图标
FET - 单
制造厂商:英飞凌(Infineon)
功能简述:MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
原厂封装:TO-261-4,TO-261AA
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BSP300H6327XUSA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
  • 英飞凌原厂型号: BSP300H6327XUSA1
  • 制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223
  • 系列: SIPMOS
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 800V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 190mA(Ta)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 20 欧姆 @ 190mA,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): -
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 230pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 1.8W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商器件封装: PG-SOT223-4
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