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BSP322PH6327XTSA1
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BSP322PH6327XTSA1技术资料
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BSP322PH6327XTSA1
FET - 单
制造厂商:
英飞凌(Infineon)
功能简述:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
原厂封装:
TO-261-4,TO-261AA
优势价格,BSP322PH6327XTSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSP322PH6327XTSA1的技术资料下载
BSP322PH6327XTSA1的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号: BSP322PH6327XTSA1
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 1A SOT-223
系列: SIPMOS
FET 类型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 1A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 800 毫欧 @ 1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 380μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 16.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 372pF @ 25V
功率 - 最大值: 1.8W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
供应商器件封装: PG-SOT223-4
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