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BSP89 E6327
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BSP89 E6327技术资料
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BSP89 E6327
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
原厂封装：
PG-SOT223-4
优势价格，BSP89 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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BSP89 E6327的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：BSP89 E6327
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：SIPMOS?
零件状态：停产
FET类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：240V
25°C时电流-连续漏极(Id)：350mA（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：6 欧姆 @ 350mA，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.8V @ 108μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：6.4nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：140pF @ 25V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：PG-SOT223-4
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BSP89 L6327
单
BSP89H6327XTSA1
晶
XMC8511SCQ040XAAXUMA1
嵌入式 - 微控制器 - 应用特定
DD242S10KHPSA1
二极管 - 整流器 - 阵列
BAW 56 E6433
二极管 - 整流器 - 阵列
IRG4RC10STR
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
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