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BSR802N L6327
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BSR802N L6327技术资料
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BSR802N L6327
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(Infineon)
功能简述：
MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
原厂封装：
PG-SC-59
优势价格，BSR802N L6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSR802N L6327的技术资料下载
BSR802N L6327的功能参数资料 - 英飞凌(Infineon)提供
英飞凌原厂型号：BSR802N L6327
制造厂家名称: 英飞凌 Infineon Technologies
描述：MOSFET N-CH 20V 3.7A SC-59
系列：OptiMOS?
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.7A（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 3.7A，2.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：750mV @ 30μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：4.7nC @ 2.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1447pF @ 10V
功率 - 最大值：500mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：PG-SC-59
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