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BSS139 H6327
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BSS139 H6327技术资料
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BSS139 H6327
单端场效应管
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
原厂封装：
PG-SOT23-3
优势价格，BSS139 H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSS139 H6327的技术资料下载
BSS139 H6327的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
Infineon英飞凌公司完整型号：BSS139 H6327
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
系列：SIPMOS
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：耗尽模式
漏源极电压 (Vdss)：250V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14 欧姆 @ 100μA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 56μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：76pF @ 25V
功率 - 最大值：360mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：PG-SOT23-3
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