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BSZ086P03NS3EGATMA1
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BSZ086P03NS3EGATMA1价格
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BSZ086P03NS3EGATMA1技术资料
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BSZ086P03NS3EGATMA1
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造厂商：
英飞凌(INFINEON)
功能简述：
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
原厂封装：
PG-TSDSON-8
优势价格，BSZ086P03NS3EGATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
BSZ086P03NS3EGATMA1的技术资料下载
BSZ086P03NS3EGATMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号：BSZ086P03NS3EGATMA1
制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
描述：MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
产品系列：OptiMOS?
零件状态：有源
FET类型：P 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30V
25°C时电流-连续漏极(Id)：13.5A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8.6 毫欧 @ 20A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.1V @ 105μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：57.5nC @ 10V
Vgs（最大值）：±25V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4785pF @ 15V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：PG-TSDSON-8
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