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    BSZ16DN25NS3 G的图片

    BSZ16DN25NS3 G

    英飞凌(INFINEON)图标
    单端场效应管
    制造厂商：英飞凌(INFINEON)
    功能简述：MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
    原厂封装：原厂封装
    优势价格，BSZ16DN25NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
    BSZ16DN25NS3 G的技术资料下载
    电话询问价格
    BSZ16DN25NS3 G的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • Infineon英飞凌公司完整型号：BSZ16DN25NS3 G
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：250V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10.9A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：165 毫欧 @ 5.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 32μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11.4nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：920pF @ 100V
  • 功率 - 最大值：62.5W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装：-
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