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DF200R12KE3HOSA1
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DF200R12KE3HOSA1技术资料
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DF200R12KE3HOSA1
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
IGBT MODULE 1200V 1040W
原厂封装:
模块
优势价格,DF200R12KE3HOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
DF200R12KE3HOSA1的技术资料下载
DF200R12KE3HOSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:DF200R12KE3HOSA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:IGBT MODULE 1200V 1040W
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:有源
IGBT类型:-
配置:单路
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):-
功率-最大值:1040W
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,200A
电流-集电极截止(最大值):5mA
不同?Vce时输入电容(Cies):14nF @ 25V
输入:标准
NTC热敏电阻:无
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:底座安装
封装:模块
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