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FF11MR12W1M1B11BOMA1
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FF11MR12W1M1B11BOMA1价格
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FF11MR12W1M1B11BOMA1技术资料
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FF11MR12W1M1B11BOMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
制造厂商:
英飞凌(INFINEON)
功能简述:
MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
原厂封装:
模块
优势价格,FF11MR12W1M1B11BOMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
FF11MR12W1M1B11BOMA1的技术资料下载
FF11MR12W1M1B11BOMA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
制造商产品型号:FF11MR12W1M1B11BOMA1
制造商:Infineon Technologies(英飞凌)
描述:MOSFET 2N-CH 1200V 100A MODULE
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
产品系列:CoolSiC+
零件状态:有源
FET类型:2 N-通道(双)
FET功能:碳化硅(SiC)
漏源电压(Vdss):1200V(1.2kV)
25°C时电流-连续漏极(Id):100A
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):11 毫欧 @ 100A,15V
不同Id时Vgs(th)(最大值):5.55V @ 40mA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):250nC @ 15V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):7950pF @ 800V
功率-最大值:-
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:底座安装
封装:模块
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