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FF200R12KE3B2HOSA1的图片

FF200R12KE3B2HOSA1

英飞凌(INFINEON)图标
晶体管 - IGBT - 模块
制造厂商：英飞凌(INFINEON)
功能简述：IGBT MOD 1200V 295A 1050W
原厂封装：模块
优势价格，FF200R12KE3B2HOSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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FF200R12KE3B2HOSA1的功能参数资料 - 英飞凌公司(INFINEON)提供
  • 制造商产品型号：FF200R12KE3B2HOSA1
  • 制造商：Infineon Technologies（英飞凌）
  • 描述：IGBT MOD 1200V 295A 1050W
  • 系列：晶体管 - IGBT - 模块
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：-
  • 配置：半桥
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：295A
  • 功率-最大值：1050W
  • 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：2.15V @ 15V，200A
  • 电流-集电极截止（最大值）：5mA
  • 不同Vce时输入电容(Cies)：14nF @ 25V
  • 输入：标准
  • NTC热敏电阻：无
  • 工作温度：-40°C ~ 125°C
  • 安装类型：底座安装
  • 封装：模块
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